MSF16N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MSF16N50
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 205 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 500 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 16 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
Carga de la puerta (Qg): 60 nC
Tiempo de subida (tr): 180 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 330 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.38 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220F
Búsqueda de reemplazo de MOSFET MSF16N50
MSF16N50 Datasheet (PDF)
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MSF16N50 500V N-Channel MOSFET Description The MSF16N50 is a N-channel enhancement-mode MOSFET , providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220F package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features RDS(on) (Typical 0.33)@VGS=10V Gate
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