MSF16N50 Todos los transistores

 

MSF16N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MSF16N50
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 205 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 180 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 330 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.38 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
 

 Búsqueda de reemplazo de MSF16N50 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

MSF16N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:426K  bruckewell
 msf16n50.pdf pdf_icon

MSF16N50

MSF16N50 500V N-Channel MOSFET Description The MSF16N50 is a N-channel enhancement-mode MOSFET , providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220F package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features RDS(on) (Typical 0.33)@VGS=10V Gate

Otros transistores... MSF10N65 , MSF10N80 , MSF10N80A , MSF12N60 , MSF12N65 , MSF13N50 , MSF14N60 , MSF15N60 , IRF1404 , MSF18N50 , MSF20N50 , MSF2N40 , MSF2N60 , MSF2N70 , MSF3N80 , MSF4N60 , MSF4N60L .

History: SPD07N20G | IPB055N03L

 

 
Back to Top

 


 
.