MSF16N50 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MSF16N50  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 205 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 180 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MSF16N50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSF16N50 даташит

 ..1. Size:426K  bruckewell
 msf16n50.pdf pdf_icon

MSF16N50

MSF16N50 500V N-Channel MOSFET Description The MSF16N50 is a N-channel enhancement-mode MOSFET , providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220F package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features RDS(on) (Typical 0.33 )@VGS=10V Gate

Другие IGBT... MSF10N65, MSF10N80, MSF10N80A, MSF12N60, MSF12N65, MSF13N50, MSF14N60, MSF15N60, IRF1404, MSF18N50, MSF20N50, MSF2N40, MSF2N60, MSF2N70, MSF3N80, MSF4N60, MSF4N60L