MSF16N50 - аналоги и даташиты транзистора

 

MSF16N50 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MSF16N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 205 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 180 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для MSF16N50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSF16N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:426K  bruckewell
 msf16n50.pdf pdf_icon

MSF16N50

MSF16N50 500V N-Channel MOSFET Description The MSF16N50 is a N-channel enhancement-mode MOSFET , providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220F package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features RDS(on) (Typical 0.33)@VGS=10V Gate

Другие MOSFET... MSF10N65 , MSF10N80 , MSF10N80A , MSF12N60 , MSF12N65 , MSF13N50 , MSF14N60 , MSF15N60 , IRF1404 , MSF18N50 , MSF20N50 , MSF2N40 , MSF2N60 , MSF2N70 , MSF3N80 , MSF4N60 , MSF4N60L .

History: IRFP4310ZPBF | 2N7002VGP | 2N7081-220M-ISO | FQPF12N60CT

 

 
Back to Top

 


 
.