MSK19N03 Todos los transistores

 

MSK19N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MSK19N03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 3.5 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 19 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
   Tiempo de subida (tr): 5 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 423 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0069 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3

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MSK19N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:249K  bruckewell
msk19n03.pdf

MSK19N03 MSK19N03

Bruckewell Technology Corp., Ltd. http://www.bruckewell-semicon.com/ N-Channel 30-V (D-S) MOSFET MSK19N03 These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and battery-powered products such as compu

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