MSK19N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MSK19N03
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 3.5 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 19 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Tiempo de subida (tr): 5 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 423 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0069 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN3X3
Búsqueda de reemplazo de MOSFET MSK19N03
MSK19N03 Datasheet (PDF)
msk19n03.pdf
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Bruckewell Technology Corp., Ltd. http://www.bruckewell-semicon.com/ N-Channel 30-V (D-S) MOSFET MSK19N03 These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and battery-powered products such as compu
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Liste
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