Справочник MOSFET. MSK19N03

 

MSK19N03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MSK19N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 423 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0069 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3
 

 Аналог (замена) для MSK19N03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSK19N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:249K  bruckewell
 msk19n03.pdf pdf_icon

MSK19N03

Bruckewell Technology Corp., Ltd. http://www.bruckewell-semicon.com/ N-Channel 30-V (D-S) MOSFET MSK19N03 These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and battery-powered products such as compu

Другие MOSFET... MSF7N65 , MSF7N80 , MSF8N50 , MSF8N60 , MSF8N80 , MSF9N20 , MSF9N70 , MSF9N90 , SPP20N60C3 , MSK1N3 , MSK2N60F , MSK2N60T , MSK4D5N60F , MSK4D5N60T , MSK4N80F , MSK4N80T , MSK7D5N60F .

History: IXFJ26N50P3 | KDS3512 | AON7400

 

 
Back to Top

 


 
.