MSK19N03 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MSK19N03  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 423 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0069 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MSK19N03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSK19N03 даташит

 ..1. Size:249K  bruckewell
 msk19n03.pdf pdf_icon

MSK19N03

Bruckewell Technology Corp., Ltd. http //www.bruckewell-semicon.com/ N-Channel 30-V (D-S) MOSFET MSK19N03 These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and battery-powered products such as compu

Другие IGBT... MSF7N65, MSF7N80, MSF8N50, MSF8N60, MSF8N80, MSF9N20, MSF9N70, MSF9N90, K3569, MSK1N3, MSK2N60F, MSK2N60T, MSK4D5N60F, MSK4D5N60T, MSK4N80F, MSK4N80T, MSK7D5N60F