MSK1N3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MSK1N3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.115 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 Vtrⓘ - Tiempo de subida: 1 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3.42 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5.5 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-23
MSK1N3 Datasheet (PDF)
msk1n3.pdf

Preliminary Data Sheet Bruckewell Technology Corp., Ltd. MSK1N3 N-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET The MSK1N3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET. Key Features: Low on-resistance High ESD High speed switching Low-voltage drive (4V) Easily designed drive circuits Easy to use in parallel Pb-free package Preliminary Data S
Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .



Liste
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