MSK1N3 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MSK1N3  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.115 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 1 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3.42 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5.5 Ohm

Encapsulados: SOT-23

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de MSK1N3 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

MSK1N3 datasheet

 ..1. Size:578K  bruckewell
 msk1n3.pdf pdf_icon

MSK1N3

Preliminary Data Sheet Bruckewell Technology Corp., Ltd. MSK1N3 N-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET The MSK1N3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET. Key Features Low on-resistance High ESD High speed switching Low-voltage drive (4V) Easily designed drive circuits Easy to use in parallel Pb-free package Preliminary Data S

Otros transistores... MSF7N80, MSF8N50, MSF8N60, MSF8N80, MSF9N20, MSF9N70, MSF9N90, MSK19N03, IRFP260, MSK2N60F, MSK2N60T, MSK4D5N60F, MSK4D5N60T, MSK4N80F, MSK4N80T, MSK7D5N60F, MSK7D5N60T