MSK1N3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MSK1N3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 0.2 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 0.115 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
   Tiempo de subida (tr): 1 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 3.42 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 5.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23

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MSK1N3 Datasheet (PDF)

..1. Size:578K bruckewell
msk1n3.pdf

Preliminary Data Sheet Bruckewell Technology Corp., Ltd. MSK1N3 N-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET The MSK1N3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET. Key Features: Low on-resistance High ESD High speed switching Low-voltage drive (4V) Easily designed drive circuits Easy to use in parallel Pb-free package Preliminary Data S

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