MSK1N3 Todos los transistores

 

MSK1N3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MSK1N3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.115 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 1 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3.42 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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MSK1N3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:578K  bruckewell
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MSK1N3

Preliminary Data Sheet Bruckewell Technology Corp., Ltd. MSK1N3 N-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET The MSK1N3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET. Key Features: Low on-resistance High ESD High speed switching Low-voltage drive (4V) Easily designed drive circuits Easy to use in parallel Pb-free package Preliminary Data S

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History: 10N65KL-TN3-R | 19N10G-TM3-T | 2SK2769-01MR | GSM1072E | 12N70KG-TQ2-R | SSF60R190SFD | 2N3459

 

 
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