MSK1N3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MSK1N3  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.115 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 1 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 3.42 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5.5 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MSK1N3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSK1N3 даташит

 ..1. Size:578K  bruckewell
 msk1n3.pdf pdf_icon

MSK1N3

Preliminary Data Sheet Bruckewell Technology Corp., Ltd. MSK1N3 N-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET The MSK1N3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET. Key Features Low on-resistance High ESD High speed switching Low-voltage drive (4V) Easily designed drive circuits Easy to use in parallel Pb-free package Preliminary Data S

Другие IGBT... MSF7N80, MSF8N50, MSF8N60, MSF8N80, MSF9N20, MSF9N70, MSF9N90, MSK19N03, IRFP260, MSK2N60F, MSK2N60T, MSK4D5N60F, MSK4D5N60T, MSK4N80F, MSK4N80T, MSK7D5N60F, MSK7D5N60T