Справочник MOSFET. MSK1N3

 

MSK1N3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MSK1N3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.115 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3.42 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5.5 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для MSK1N3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSK1N3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:578K  bruckewell
 msk1n3.pdf pdf_icon

MSK1N3

Preliminary Data Sheet Bruckewell Technology Corp., Ltd. MSK1N3 N-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET The MSK1N3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET. Key Features: Low on-resistance High ESD High speed switching Low-voltage drive (4V) Easily designed drive circuits Easy to use in parallel Pb-free package Preliminary Data S

Другие MOSFET... MSF7N80 , MSF8N50 , MSF8N60 , MSF8N80 , MSF9N20 , MSF9N70 , MSF9N90 , MSK19N03 , 8205A , MSK2N60F , MSK2N60T , MSK4D5N60F , MSK4D5N60T , MSK4N80F , MSK4N80T , MSK7D5N60F , MSK7D5N60T .

History: BRD1N60

 

 
Back to Top

 


 
.