MSK2N60T Todos los transistores

 

MSK2N60T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MSK2N60T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 54 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 59.4 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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MSK2N60T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:663K  taitron
 msk2n60f msk2n60t.pdf pdf_icon

MSK2N60T

600V/2.0A N-Channel MOSFET MSK2N60T/F600V/2.0A N-Channel MOSFET General Description Fast switching time Low on resistance, low gate charge Excellent avalanche characteristics Suitable for switching mode power supplies TO-220Features VDSS=600V, ID=2.0A; Low Drain-Source ON Resistance: RDS(ON) =5.0 @ VGS=10V Qg(typ.)=10.9nC RoHS C

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History: SPI80N06S-80 | HAT2188WP | CJPF08N60 | NVMFS6H858NL | AON6764 | IXTQ170N10P | AUIRFN8405

 

 
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