MSK2N60T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MSK2N60T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 54 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 2 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 1.7 nC
   Tiempo de subida (tr): 60 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 59.4 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

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MSK2N60T Datasheet (PDF)

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msk2n60f msk2n60t.pdf

600V/2.0A N-Channel MOSFET MSK2N60T/F600V/2.0A N-Channel MOSFET General Description Fast switching time Low on resistance, low gate charge Excellent avalanche characteristics Suitable for switching mode power supplies TO-220Features VDSS=600V, ID=2.0A; Low Drain-Source ON Resistance: RDS(ON) =5.0 @ VGS=10V Qg(typ.)=10.9nC RoHS C

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Liste

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