MSK2N60T - аналоги и даташиты транзистора

 

MSK2N60T - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MSK2N60T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 59.4 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для MSK2N60T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSK2N60T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:663K  taitron
 msk2n60f msk2n60t.pdf pdf_icon

MSK2N60T

600V/2.0A N-Channel MOSFET MSK2N60T/F600V/2.0A N-Channel MOSFET General Description Fast switching time Low on resistance, low gate charge Excellent avalanche characteristics Suitable for switching mode power supplies TO-220Features VDSS=600V, ID=2.0A; Low Drain-Source ON Resistance: RDS(ON) =5.0 @ VGS=10V Qg(typ.)=10.9nC RoHS C

Другие MOSFET... MSF8N60 , MSF8N80 , MSF9N20 , MSF9N70 , MSF9N90 , MSK19N03 , MSK1N3 , MSK2N60F , IRF9540N , MSK4D5N60F , MSK4D5N60T , MSK4N80F , MSK4N80T , MSK7D5N60F , MSK7D5N60T , MSK7N80F , MSK7N80T .

 

 
Back to Top

 


 
.