MSK2N60T - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: MSK2N60T
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 59.4 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для MSK2N60T
MSK2N60T Datasheet (PDF)
msk2n60f msk2n60t.pdf

600V/2.0A N-Channel MOSFET MSK2N60T/F600V/2.0A N-Channel MOSFET General Description Fast switching time Low on resistance, low gate charge Excellent avalanche characteristics Suitable for switching mode power supplies TO-220Features VDSS=600V, ID=2.0A; Low Drain-Source ON Resistance: RDS(ON) =5.0 @ VGS=10V Qg(typ.)=10.9nC RoHS C
Другие MOSFET... MSF8N60 , MSF8N80 , MSF9N20 , MSF9N70 , MSF9N90 , MSK19N03 , MSK1N3 , MSK2N60F , IRF9540N , MSK4D5N60F , MSK4D5N60T , MSK4N80F , MSK4N80T , MSK7D5N60F , MSK7D5N60T , MSK7N80F , MSK7N80T .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: APG12N10D | AP90N06D | AP8P10S | AP80P01NF | AP80N08NF | AP80N08D | AP70N03DF | AP6G04S | AP50N06DF | AP3404MI | AP130N20MP | AP60N02BD | AP50N06Y | AP50N03S | AP4N06SI | AP3416AI
Popular searches
2sa722 | f1010e mosfet datasheet | 2sa566 | bc559 equivalent | c2075 transistor | ecg123 | 2n5551 transistor equivalent | 13009 datasheet