MSK4N80F Todos los transistores

 

MSK4N80F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MSK4N80F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 43 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 59.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 68 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
 

 Búsqueda de reemplazo de MSK4N80F MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

MSK4N80F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:638K  taitron
 msk4n80f msk4n80t.pdf pdf_icon

MSK4N80F

800V/4A N-Channel MOSFET MSK4N80T/F800V/4A N-Channel MOSFET General Description Fast switching time Low on resistance, low gate charge Excellent avalanche characteristics Suitable for active power factor correction Suitable for switching mode power supplies TO-220Features VDSS=800V, ID=4A; Low Drain-Source ON Resistance: RDS(ON) =3.6

Otros transistores... MSF9N70 , MSF9N90 , MSK19N03 , MSK1N3 , MSK2N60F , MSK2N60T , MSK4D5N60F , MSK4D5N60T , TK10A60D , MSK4N80T , MSK7D5N60F , MSK7D5N60T , MSK7N80F , MSK7N80T , MSK9N50F , MSK9N50T , MSP02N10 .

History: 17P10G-TN3-R | 10N65KG-TF2-T | BRCS50N06IP | MSK4D5N60T | 12N80G-TF3-T | RU6070L | APM6055NU

 

 
Back to Top

 


 
.