Справочник MOSFET. MSK4N80F

 

MSK4N80F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MSK4N80F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 4 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 59.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 68 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.6 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для MSK4N80F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSK4N80F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:638K  taitron
 msk4n80f msk4n80t.pdf pdf_icon

MSK4N80F

800V/4A N-Channel MOSFET MSK4N80T/F800V/4A N-Channel MOSFET General Description Fast switching time Low on resistance, low gate charge Excellent avalanche characteristics Suitable for active power factor correction Suitable for switching mode power supplies TO-220Features VDSS=800V, ID=4A; Low Drain-Source ON Resistance: RDS(ON) =3.6

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , AON7506 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: IXFP14N60P3 | SIHP8N50D

 

 
Back to Top

 


 
.