MSK4N80F MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MSK4N80F
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 43 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 800 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 4 nC
Время нарастания (tr): 59.5 ns
Выходная емкость (Cd): 68 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 3.6 Ohm
Тип корпуса: TO-220F
MSK4N80F Datasheet (PDF)
..1. Size:638K taitron
msk4n80f msk4n80t.pdf
msk4n80f msk4n80t.pdf
800V/4A N-Channel MOSFET MSK4N80T/F800V/4A N-Channel MOSFET General Description Fast switching time Low on resistance, low gate charge Excellent avalanche characteristics Suitable for active power factor correction Suitable for switching mode power supplies TO-220Features VDSS=800V, ID=4A; Low Drain-Source ON Resistance: RDS(ON) =3.6
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
