MSK4N80F - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: MSK4N80F
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 59.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 68 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.6 Ohm
Тип корпуса: TO-220F
Аналог (замена) для MSK4N80F
MSK4N80F Datasheet (PDF)
msk4n80f msk4n80t.pdf

800V/4A N-Channel MOSFET MSK4N80T/F800V/4A N-Channel MOSFET General Description Fast switching time Low on resistance, low gate charge Excellent avalanche characteristics Suitable for active power factor correction Suitable for switching mode power supplies TO-220Features VDSS=800V, ID=4A; Low Drain-Source ON Resistance: RDS(ON) =3.6
Другие MOSFET... MSF9N70 , MSF9N90 , MSK19N03 , MSK1N3 , MSK2N60F , MSK2N60T , MSK4D5N60F , MSK4D5N60T , AO4407 , MSK4N80T , MSK7D5N60F , MSK7D5N60T , MSK7N80F , MSK7N80T , MSK9N50F , MSK9N50T , MSP02N10 .
History: TSA28N50M | TSA82N30M
History: TSA28N50M | TSA82N30M



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
bc559 equivalent | c2075 transistor | ecg123 | 2n5551 transistor equivalent | 13009 datasheet | 3dd15d transistor | pa110bda | 2sb1243