MSK4N80T Todos los transistores

 

MSK4N80T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MSK4N80T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 130 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 59.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 68 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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MSK4N80T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:638K  taitron
 msk4n80f msk4n80t.pdf pdf_icon

MSK4N80T

800V/4A N-Channel MOSFET MSK4N80T/F800V/4A N-Channel MOSFET General Description Fast switching time Low on resistance, low gate charge Excellent avalanche characteristics Suitable for active power factor correction Suitable for switching mode power supplies TO-220Features VDSS=800V, ID=4A; Low Drain-Source ON Resistance: RDS(ON) =3.6

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History: SML3525BN | NTTFS4941NTAG | STD30NE06LT4 | SWD020R03VLT | NCE40P06J | 4N80G-TF3-T | PTF27N80

 

 
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