MSK4N80T datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MSK4N80T  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 59.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 68 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.6 Ohm

Тип корпуса: TO-220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MSK4N80T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSK4N80T даташит

 ..1. Size:638K  taitron
 msk4n80f msk4n80t.pdf pdf_icon

MSK4N80T

800V/4A N-Channel MOSFET MSK4N80T/F 800V/4A N-Channel MOSFET General Description Fast switching time Low on resistance, low gate charge Excellent avalanche characteristics Suitable for active power factor correction Suitable for switching mode power supplies TO-220 Features VDSS=800V, ID=4A; Low Drain-Source ON Resistance RDS(ON) =3.6

Другие IGBT... MSF9N90, MSK19N03, MSK1N3, MSK2N60F, MSK2N60T, MSK4D5N60F, MSK4D5N60T, MSK4N80F, AON7410, MSK7D5N60F, MSK7D5N60T, MSK7N80F, MSK7N80T, MSK9N50F, MSK9N50T, MSP02N10, MSP2301N3