MSK7D5N60T Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MSK7D5N60T  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 147 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 130 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 121.8 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm

Encapsulados: TO-220

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de MSK7D5N60T MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

MSK7D5N60T datasheet

 ..1. Size:618K  taitron
 msk7d5n60f msk7d5n60t.pdf pdf_icon

MSK7D5N60T

600V/7.5A N-Channel MOSFET MSK7D5N60T/F 600V/7.5A N-Channel MOSFET General Description Fast switching time Low on resistance, low gate charge Excellent avalanche characteristics Suitable for active power factor correction Suitable for switching mode power supplies TO-220 Features VDSS=600V, ID=7.5A; Low Drain-Source ON Resistance RDS(ON) =

Otros transistores... MSK1N3, MSK2N60F, MSK2N60T, MSK4D5N60F, MSK4D5N60T, MSK4N80F, MSK4N80T, MSK7D5N60F, 5N65, MSK7N80F, MSK7N80T, MSK9N50F, MSK9N50T, MSP02N10, MSP2301N3, MSQ27N30, MSQ2N60