MSK7D5N60T Todos los transistores

 

MSK7D5N60T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MSK7D5N60T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 147 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 130 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 121.8 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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MSK7D5N60T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:618K  taitron
 msk7d5n60f msk7d5n60t.pdf pdf_icon

MSK7D5N60T

600V/7.5A N-Channel MOSFET MSK7D5N60T/F600V/7.5A N-Channel MOSFET General Description Fast switching time Low on resistance, low gate charge Excellent avalanche characteristics Suitable for active power factor correction Suitable for switching mode power supplies TO-220Features VDSS=600V, ID=7.5A; Low Drain-Source ON Resistance: RDS(ON) =

Otros transistores... MSK1N3 , MSK2N60F , MSK2N60T , MSK4D5N60F , MSK4D5N60T , MSK4N80F , MSK4N80T , MSK7D5N60F , 5N65 , MSK7N80F , MSK7N80T , MSK9N50F , MSK9N50T , MSP02N10 , MSP2301N3 , MSQ27N30 , MSQ2N60 .

History: FDW6923 | IPI65R099C6 | MSK7D5N60F | FDW252P | 5N65F | AOT600A60L | IPA80R1K0CE

 

 
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