Справочник MOSFET. MSK7D5N60T

 

MSK7D5N60T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MSK7D5N60T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 147 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 130 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 121.8 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для MSK7D5N60T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSK7D5N60T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:618K  taitron
 msk7d5n60f msk7d5n60t.pdf pdf_icon

MSK7D5N60T

600V/7.5A N-Channel MOSFET MSK7D5N60T/F600V/7.5A N-Channel MOSFET General Description Fast switching time Low on resistance, low gate charge Excellent avalanche characteristics Suitable for active power factor correction Suitable for switching mode power supplies TO-220Features VDSS=600V, ID=7.5A; Low Drain-Source ON Resistance: RDS(ON) =

Другие MOSFET... MSK1N3 , MSK2N60F , MSK2N60T , MSK4D5N60F , MSK4D5N60T , MSK4N80F , MSK4N80T , MSK7D5N60F , 4435 , MSK7N80F , MSK7N80T , MSK9N50F , MSK9N50T , MSP02N10 , MSP2301N3 , MSQ27N30 , MSQ2N60 .

History: APQ110SN5EAD | FDP085N10A | JMSL0603PG

 

 
Back to Top

 


 
.