MSK7N80F Todos los transistores

 

MSK7N80F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MSK7N80F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 56 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 63.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 141 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.55 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
 

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MSK7N80F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:620K  taitron
 msk7n80f msk7n80t.pdf pdf_icon

MSK7N80F

800V/7A N-Channel MOSFET MSK7N80T/F800V/7A N-Channel MOSFET General Description Fast switching time Low on resistance, low gate charge Excellent avalanche characteristics Suitable for electronic ballast Suitable for switching mode power supplies TO-220Features VDSS=800V, ID=7A; Low Drain-Source ON Resistance: RDS(ON) =1.55 @ VGS=10V

Otros transistores... MSK2N60F , MSK2N60T , MSK4D5N60F , MSK4D5N60T , MSK4N80F , MSK4N80T , MSK7D5N60F , MSK7D5N60T , IRF530 , MSK7N80T , MSK9N50F , MSK9N50T , MSP02N10 , MSP2301N3 , MSQ27N30 , MSQ2N60 , MSQ4N60 .

History: P1850EF | TPCC8062-H | BSC060P03NS3EG | GM2302 | AO4800 | IPB77N06S2-12 | RJL5014DPK

 

 
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