MSK7N80F Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MSK7N80F 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 56 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 63.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 141 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.55 Ohm
Encapsulados: TO-220F
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MSK7N80F datasheet
msk7n80f msk7n80t.pdf
800V/7A N-Channel MOSFET MSK7N80T/F 800V/7A N-Channel MOSFET General Description Fast switching time Low on resistance, low gate charge Excellent avalanche characteristics Suitable for electronic ballast Suitable for switching mode power supplies TO-220 Features VDSS=800V, ID=7A; Low Drain-Source ON Resistance RDS(ON) =1.55 @ VGS=10V
Otros transistores... MSK2N60F, MSK2N60T, MSK4D5N60F, MSK4D5N60T, MSK4N80F, MSK4N80T, MSK7D5N60F, MSK7D5N60T, IRF1010E, MSK7N80T, MSK9N50F, MSK9N50T, MSP02N10, MSP2301N3, MSQ27N30, MSQ2N60, MSQ4N60
History: TSM3400CX | IRF9388PBF | SI6404DQ | PMZ950UPEL | AP10N4R5S | MTA090N02KC3 | AP6G04S
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
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