Справочник MOSFET. MSK7N80F

 

MSK7N80F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MSK7N80F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 63.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 141 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.55 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для MSK7N80F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSK7N80F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:620K  taitron
 msk7n80f msk7n80t.pdf pdf_icon

MSK7N80F

800V/7A N-Channel MOSFET MSK7N80T/F800V/7A N-Channel MOSFET General Description Fast switching time Low on resistance, low gate charge Excellent avalanche characteristics Suitable for electronic ballast Suitable for switching mode power supplies TO-220Features VDSS=800V, ID=7A; Low Drain-Source ON Resistance: RDS(ON) =1.55 @ VGS=10V

Другие MOSFET... MSK2N60F , MSK2N60T , MSK4D5N60F , MSK4D5N60T , MSK4N80F , MSK4N80T , MSK7D5N60F , MSK7D5N60T , IRF530 , MSK7N80T , MSK9N50F , MSK9N50T , MSP02N10 , MSP2301N3 , MSQ27N30 , MSQ2N60 , MSQ4N60 .

 

 
Back to Top

 


 
.