MSK9N50T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MSK9N50T
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 135 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 65 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 155.7 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de MSK9N50T MOSFET
MSK9N50T Datasheet (PDF)
msk9n50f msk9n50t.pdf

500V/9A N-Channel MOSFET MSK9N50T/F500V/9A N-Channel MOSFET General Description Fast switching time Low on resistance, low gate charge Excellent avalanche characteristics Suitable for electronic ballast Suitable for switching mode power supplies TO-220Features VDSS=500V, ID=9A; Low Drain-Source ON Resistance: RDS(ON) =0.8 @ VGS=10V
Otros transistores... MSK4D5N60T , MSK4N80F , MSK4N80T , MSK7D5N60F , MSK7D5N60T , MSK7N80F , MSK7N80T , MSK9N50F , AO4407 , MSP02N10 , MSP2301N3 , MSQ27N30 , MSQ2N60 , MSQ4N60 , MSQ5N50 , MSQ6N30 , MSQ6N40 .
History: NTMFD5C650NLT1G | WMK36N60C4 | IRLR3705ZPBF | WMS05P10TS | WML340N20HG2
History: NTMFD5C650NLT1G | WMK36N60C4 | IRLR3705ZPBF | WMS05P10TS | WML340N20HG2



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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