MSK9N50T Todos los transistores

 

MSK9N50T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MSK9N50T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 135 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 65 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 155.7 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

MSK9N50T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:634K  taitron
 msk9n50f msk9n50t.pdf pdf_icon

MSK9N50T

500V/9A N-Channel MOSFET MSK9N50T/F500V/9A N-Channel MOSFET General Description Fast switching time Low on resistance, low gate charge Excellent avalanche characteristics Suitable for electronic ballast Suitable for switching mode power supplies TO-220Features VDSS=500V, ID=9A; Low Drain-Source ON Resistance: RDS(ON) =0.8 @ VGS=10V

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History: CHM4204PAGP | NDB710AE

 

 
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