MSK9N50T Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MSK9N50T  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 135 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 65 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 155.7 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm

Encapsulados: TO-220

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MSK9N50T datasheet

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MSK9N50T

500V/9A N-Channel MOSFET MSK9N50T/F 500V/9A N-Channel MOSFET General Description Fast switching time Low on resistance, low gate charge Excellent avalanche characteristics Suitable for electronic ballast Suitable for switching mode power supplies TO-220 Features VDSS=500V, ID=9A; Low Drain-Source ON Resistance RDS(ON) =0.8 @ VGS=10V

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