MSK9N50T datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MSK9N50T  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 135 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 155.7 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm

Тип корпуса: TO-220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MSK9N50T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSK9N50T даташит

 ..1. Size:634K  taitron
 msk9n50f msk9n50t.pdf pdf_icon

MSK9N50T

500V/9A N-Channel MOSFET MSK9N50T/F 500V/9A N-Channel MOSFET General Description Fast switching time Low on resistance, low gate charge Excellent avalanche characteristics Suitable for electronic ballast Suitable for switching mode power supplies TO-220 Features VDSS=500V, ID=9A; Low Drain-Source ON Resistance RDS(ON) =0.8 @ VGS=10V

Другие IGBT... MSK4D5N60T, MSK4N80F, MSK4N80T, MSK7D5N60F, MSK7D5N60T, MSK7N80F, MSK7N80T, MSK9N50F, IRF530, MSP02N10, MSP2301N3, MSQ27N30, MSQ2N60, MSQ4N60, MSQ5N50, MSQ6N30, MSQ6N40