Справочник MOSFET. MSK9N50T

 

MSK9N50T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MSK9N50T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 135 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 5.9 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 155.7 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для MSK9N50T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSK9N50T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:634K  taitron
 msk9n50f msk9n50t.pdf pdf_icon

MSK9N50T

500V/9A N-Channel MOSFET MSK9N50T/F500V/9A N-Channel MOSFET General Description Fast switching time Low on resistance, low gate charge Excellent avalanche characteristics Suitable for electronic ballast Suitable for switching mode power supplies TO-220Features VDSS=500V, ID=9A; Low Drain-Source ON Resistance: RDS(ON) =0.8 @ VGS=10V

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


 
.