MSP02N10 Todos los transistores

 

MSP02N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MSP02N10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4.3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP-6
 

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MSP02N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1270K  bruckewell
 msp02n10.pdf pdf_icon

MSP02N10

Bruckewell Technology Corp., Ltd. http://www.bruckewell-semicon.com/ N-Channel 100-V (D-S) MOSFET MSP02N10 Key Features: TSOP-6 schematic diagram Low rDS(on) trench technology Low thermal impedance Fast switching speed Typical Applications: PoE Power Sourcing Equipment PoE Powered Devices Telecom DC/DC converters White LED boost converters

Otros transistores... MSK4N80F , MSK4N80T , MSK7D5N60F , MSK7D5N60T , MSK7N80F , MSK7N80T , MSK9N50F , MSK9N50T , IRLB4132 , MSP2301N3 , MSQ27N30 , MSQ2N60 , MSQ4N60 , MSQ5N50 , MSQ6N30 , MSQ6N40 , MSQ7434N .

History: BL10N80-P | FHP8N60C | SPD5N50G | SI8823EDB | BL12N60A-A | BL10N80-W

 

 
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