MSP02N10 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MSP02N10  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4.3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm

Encapsulados: TSOP-6

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MSP02N10 datasheet

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MSP02N10

Bruckewell Technology Corp., Ltd. http //www.bruckewell-semicon.com/ N-Channel 100-V (D-S) MOSFET MSP02N10 Key Features TSOP-6 schematic diagram Low rDS(on) trench technology Low thermal impedance Fast switching speed Typical Applications PoE Power Sourcing Equipment PoE Powered Devices Telecom DC/DC converters White LED boost converters

Otros transistores... MSK4N80F, MSK4N80T, MSK7D5N60F, MSK7D5N60T, MSK7N80F, MSK7N80T, MSK9N50F, MSK9N50T, CS150N03A8, MSP2301N3, MSQ27N30, MSQ2N60, MSQ4N60, MSQ5N50, MSQ6N30, MSQ6N40, MSQ7434N