MSP02N10 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MSP02N10  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm

Тип корпуса: TSOP-6

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MSP02N10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSP02N10 даташит

 ..1. Size:1270K  bruckewell
 msp02n10.pdf pdf_icon

MSP02N10

Bruckewell Technology Corp., Ltd. http //www.bruckewell-semicon.com/ N-Channel 100-V (D-S) MOSFET MSP02N10 Key Features TSOP-6 schematic diagram Low rDS(on) trench technology Low thermal impedance Fast switching speed Typical Applications PoE Power Sourcing Equipment PoE Powered Devices Telecom DC/DC converters White LED boost converters

Другие IGBT... MSK4N80F, MSK4N80T, MSK7D5N60F, MSK7D5N60T, MSK7N80F, MSK7N80T, MSK9N50F, MSK9N50T, CS150N03A8, MSP2301N3, MSQ27N30, MSQ2N60, MSQ4N60, MSQ5N50, MSQ6N30, MSQ6N40, MSQ7434N