Справочник MOSFET. MSP02N10

 

MSP02N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MSP02N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm
   Тип корпуса: TSOP-6
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSP02N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1270K  bruckewell
 msp02n10.pdf pdf_icon

MSP02N10

Bruckewell Technology Corp., Ltd. http://www.bruckewell-semicon.com/ N-Channel 100-V (D-S) MOSFET MSP02N10 Key Features: TSOP-6 schematic diagram Low rDS(on) trench technology Low thermal impedance Fast switching speed Typical Applications: PoE Power Sourcing Equipment PoE Powered Devices Telecom DC/DC converters White LED boost converters

Другие MOSFET... MSK4N80F , MSK4N80T , MSK7D5N60F , MSK7D5N60T , MSK7N80F , MSK7N80T , MSK9N50F , MSK9N50T , IRLB4132 , MSP2301N3 , MSQ27N30 , MSQ2N60 , MSQ4N60 , MSQ5N50 , MSQ6N30 , MSQ6N40 , MSQ7434N .

 

 
Back to Top

 


 
.