MSQ27N30 Todos los transistores

 

MSQ27N30 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MSQ27N30
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 27 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0046 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOIC-8
 

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MSQ27N30 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:614K  bruckewell
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MSQ27N30

Preliminary Data Sheet Bruckewell Technology Corp., Ltd. SOIC-8 Package MSQ27N30 Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET Key Features: Low RDS(on) provides higher efficiency and Extends battery life Low thermal impedance copper lead frame SOIC-8PP saves board space Fast switching speed High performance trench technology Typical Applications: DC-DC co

Otros transistores... MSK7D5N60F , MSK7D5N60T , MSK7N80F , MSK7N80T , MSK9N50F , MSK9N50T , MSP02N10 , MSP2301N3 , 2N7002 , MSQ2N60 , MSQ4N60 , MSQ5N50 , MSQ6N30 , MSQ6N40 , MSQ7434N , MSQ94P33 , MSQ99N26 .

History: SRADM1004 | SSP65R190S2R | MSQ7434N | IPB22N03S4L-15 | NTP35N15G

 

 
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