MSQ27N30 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MSQ27N30
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 27 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0046 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOIC-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MSQ27N30

MSQ27N30 Datasheet (PDF)

..1. Size:614K bruckewell
msq27n30.pdf

Preliminary Data Sheet Bruckewell Technology Corp., Ltd. SOIC-8 Package MSQ27N30 Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET Key Features: Low RDS(on) provides higher efficiency and Extends battery life Low thermal impedance copper lead frame SOIC-8PP saves board space Fast switching speed High performance trench technology Typical Applications: DC-DC co

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Liste

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