MSQ27N30 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MSQ27N30  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 27 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0046 Ohm

Encapsulados: SOIC-8

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MSQ27N30 datasheet

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MSQ27N30

Preliminary Data Sheet Bruckewell Technology Corp., Ltd. SOIC-8 Package MSQ27N30 Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET Key Features Low RDS(on) provides higher efficiency and Extends battery life Low thermal impedance copper lead frame SOIC-8PP saves board space Fast switching speed High performance trench technology Typical Applications DC-DC co

Otros transistores... MSK7D5N60F, MSK7D5N60T, MSK7N80F, MSK7N80T, MSK9N50F, MSK9N50T, MSP02N10, MSP2301N3, AON7506, MSQ2N60, MSQ4N60, MSQ5N50, MSQ6N30, MSQ6N40, MSQ7434N, MSQ94P33, MSQ99N26