MSQ27N30 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MSQ27N30
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 27 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0046 Ohm
Paquete / Cubierta: SOIC-8
Búsqueda de reemplazo de MSQ27N30 MOSFET
MSQ27N30 Datasheet (PDF)
msq27n30.pdf

Preliminary Data Sheet Bruckewell Technology Corp., Ltd. SOIC-8 Package MSQ27N30 Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET Key Features: Low RDS(on) provides higher efficiency and Extends battery life Low thermal impedance copper lead frame SOIC-8PP saves board space Fast switching speed High performance trench technology Typical Applications: DC-DC co
Otros transistores... MSK7D5N60F , MSK7D5N60T , MSK7N80F , MSK7N80T , MSK9N50F , MSK9N50T , MSP02N10 , MSP2301N3 , IRFP250 , MSQ2N60 , MSQ4N60 , MSQ5N50 , MSQ6N30 , MSQ6N40 , MSQ7434N , MSQ94P33 , MSQ99N26 .
History: MMF60R580QTH | WPM1480 | NCEP15T14LL | SVF10N60CFJ | 2N5909 | IPA80R360P7 | AP65PN2R6I
History: MMF60R580QTH | WPM1480 | NCEP15T14LL | SVF10N60CFJ | 2N5909 | IPA80R360P7 | AP65PN2R6I



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
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