MSQ27N30 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MSQ27N30
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 27 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 10 ns
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0046 Ohm
Тип корпуса: SOIC-8
MSQ27N30 Datasheet (PDF)
..1. Size:614K bruckewell
msq27n30.pdf
msq27n30.pdf
Preliminary Data Sheet Bruckewell Technology Corp., Ltd. SOIC-8 Package MSQ27N30 Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET Key Features: Low RDS(on) provides higher efficiency and Extends battery life Low thermal impedance copper lead frame SOIC-8PP saves board space Fast switching speed High performance trench technology Typical Applications: DC-DC co
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
