MSQ5N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MSQ5N50
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 66 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
Paquete / Cubierta: QFN5X6
Búsqueda de reemplazo de MSQ5N50 MOSFET
MSQ5N50 Datasheet (PDF)
msq5n50.pdf

Bruckewell Technology Corp., Ltd. http://www.bruckewell-semicon.com/ Product Specification PRELIMINARY N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MSQ5N50 Description The MSQ5N50 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The QFN-5X6 package which
Otros transistores... MSK7N80T , MSK9N50F , MSK9N50T , MSP02N10 , MSP2301N3 , MSQ27N30 , MSQ2N60 , MSQ4N60 , IRFZ24N , MSQ6N30 , MSQ6N40 , MSQ7434N , MSQ94P33 , MSQ99N26 , MSS34N40 , MSS5P05D , MSS5P05U .
History: STU16N65M2 | WMQ20N06TS | IRF842FI | 4N80G-T2Q-T
History: STU16N65M2 | WMQ20N06TS | IRF842FI | 4N80G-T2Q-T



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
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