Справочник MOSFET. MSQ5N50

 

MSQ5N50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MSQ5N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 11 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 66 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: QFN5X6
 

 Аналог (замена) для MSQ5N50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSQ5N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:419K  bruckewell
 msq5n50.pdf pdf_icon

MSQ5N50

Bruckewell Technology Corp., Ltd. http://www.bruckewell-semicon.com/ Product Specification PRELIMINARY N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MSQ5N50 Description The MSQ5N50 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The QFN-5X6 package which

Другие MOSFET... MSK7N80T , MSK9N50F , MSK9N50T , MSP02N10 , MSP2301N3 , MSQ27N30 , MSQ2N60 , MSQ4N60 , IRFZ24N , MSQ6N30 , MSQ6N40 , MSQ7434N , MSQ94P33 , MSQ99N26 , MSS34N40 , MSS5P05D , MSS5P05U .

 

 
Back to Top

 


 
.