MSQ5N50 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MSQ5N50  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 66 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: QFN5X6

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MSQ5N50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSQ5N50 даташит

 ..1. Size:419K  bruckewell
 msq5n50.pdf pdf_icon

MSQ5N50

Bruckewell Technology Corp., Ltd. http //www.bruckewell-semicon.com/ Product Specification PRELIMINARY N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MSQ5N50 Description The MSQ5N50 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The QFN-5X6 package which

Другие IGBT... MSK7N80T, MSK9N50F, MSK9N50T, MSP02N10, MSP2301N3, MSQ27N30, MSQ2N60, MSQ4N60, TK10A60D, MSQ6N30, MSQ6N40, MSQ7434N, MSQ94P33, MSQ99N26, MSS34N40, MSS5P05D, MSS5P05U