MSQ6N30 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MSQ6N30
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 2.1 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 6.4 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1 V
Tiempo de subida (tr): 4 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 65 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.034 Ohm
Paquete / Cubierta: SO-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET MSQ6N30
MSQ6N30 Datasheet (PDF)
msq6n30.pdf
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msq6n40.pdf
Bruckewell Technology Corp., Ltd. http://www.bruckewell-semi.com Product Specification N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MSF6N40 Description The MSF6N40 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220F package is universally prefer
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