MSQ6N30 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MSQ6N30  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.034 Ohm

Encapsulados: SO-8

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MSQ6N30 datasheet

 ..1. Size:947K  bruckewell
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MSQ6N30

Bruckewell Technology Corp., Ltd. MSQ6N30 Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET Key Features Low RDS(on) trench technology SO-8 Package Low thermal impedance Fast switching speed Typical Applications White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits Notes a. Surface Mounted on 1 x 1 FR4 Board. b. Pulse width limi

 9.1. Size:1601K  bruckewell
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MSQ6N30

Bruckewell Technology Corp., Ltd. http //www.bruckewell-semi.com Product Specification N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MSF6N40 Description The MSF6N40 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220F package is universally prefer

Otros transistores... MSK9N50F, MSK9N50T, MSP02N10, MSP2301N3, MSQ27N30, MSQ2N60, MSQ4N60, MSQ5N50, AO4407, MSQ6N40, MSQ7434N, MSQ94P33, MSQ99N26, MSS34N40, MSS5P05D, MSS5P05U, MSU11N50Q