MSQ6N30 - аналоги и даташиты транзистора

 

MSQ6N30 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MSQ6N30
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.034 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для MSQ6N30

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSQ6N30 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:947K  bruckewell
 msq6n30.pdf pdf_icon

MSQ6N30

Bruckewell Technology Corp., Ltd. MSQ6N30 Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET Key Features: Low RDS(on) trench technology SO-8 Package Low thermal impedance Fast switching speed Typical Applications: White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits Notes a. Surface Mounted on 1 x 1 FR4 Board. b. Pulse width limi

 9.1. Size:1601K  bruckewell
 msq6n40.pdf pdf_icon

MSQ6N30

Bruckewell Technology Corp., Ltd. http://www.bruckewell-semi.com Product Specification N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MSF6N40 Description The MSF6N40 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220F package is universally prefer

Другие MOSFET... MSK9N50F , MSK9N50T , MSP02N10 , MSP2301N3 , MSQ27N30 , MSQ2N60 , MSQ4N60 , MSQ5N50 , P60NF06 , MSQ6N40 , MSQ7434N , MSQ94P33 , MSQ99N26 , MSS34N40 , MSS5P05D , MSS5P05U , MSU11N50Q .

History: IRF3706 | STW37N60DM2AG | BRD18N06 | SSG6680 | KIA3400 | SI4447DY

 

 
Back to Top

 


 
.