MSQ6N30 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MSQ6N30  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.034 Ohm

Тип корпуса: SO-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MSQ6N30

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSQ6N30 даташит

 ..1. Size:947K  bruckewell
 msq6n30.pdf pdf_icon

MSQ6N30

Bruckewell Technology Corp., Ltd. MSQ6N30 Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET Key Features Low RDS(on) trench technology SO-8 Package Low thermal impedance Fast switching speed Typical Applications White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits Notes a. Surface Mounted on 1 x 1 FR4 Board. b. Pulse width limi

 9.1. Size:1601K  bruckewell
 msq6n40.pdf pdf_icon

MSQ6N30

Bruckewell Technology Corp., Ltd. http //www.bruckewell-semi.com Product Specification N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MSF6N40 Description The MSF6N40 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220F package is universally prefer

Другие IGBT... MSK9N50F, MSK9N50T, MSP02N10, MSP2301N3, MSQ27N30, MSQ2N60, MSQ4N60, MSQ5N50, AO4407, MSQ6N40, MSQ7434N, MSQ94P33, MSQ99N26, MSS34N40, MSS5P05D, MSS5P05U, MSU11N50Q