MSQ6N40 Todos los transistores

 

MSQ6N40 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MSQ6N40
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
   Paquete / Cubierta: QFN5X6
 

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MSQ6N40 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1601K  bruckewell
 msq6n40.pdf pdf_icon

MSQ6N40

Bruckewell Technology Corp., Ltd. http://www.bruckewell-semi.com Product Specification N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MSF6N40 Description The MSF6N40 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220F package is universally prefer

 9.1. Size:947K  bruckewell
 msq6n30.pdf pdf_icon

MSQ6N40

Bruckewell Technology Corp., Ltd. MSQ6N30 Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET Key Features: Low RDS(on) trench technology SO-8 Package Low thermal impedance Fast switching speed Typical Applications: White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits Notes a. Surface Mounted on 1 x 1 FR4 Board. b. Pulse width limi

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History: LSB55R050GT | HM10P10D | FDU6688 | UPA1950

 

 
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