Справочник MOSFET. MSQ6N40

 

MSQ6N40 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MSQ6N40
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 25 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: QFN5X6
 

 Аналог (замена) для MSQ6N40

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSQ6N40 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1601K  bruckewell
 msq6n40.pdf pdf_icon

MSQ6N40

Bruckewell Technology Corp., Ltd. http://www.bruckewell-semi.com Product Specification N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MSF6N40 Description The MSF6N40 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-220F package is universally prefer

 9.1. Size:947K  bruckewell
 msq6n30.pdf pdf_icon

MSQ6N40

Bruckewell Technology Corp., Ltd. MSQ6N30 Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET Key Features: Low RDS(on) trench technology SO-8 Package Low thermal impedance Fast switching speed Typical Applications: White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits Notes a. Surface Mounted on 1 x 1 FR4 Board. b. Pulse width limi

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top

 


 
.