MSQ99N26 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MSQ99N26  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm

Encapsulados: SOIC-8

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MSQ99N26 datasheet

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MSQ99N26

Bruckewell Technology Corp., Ltd. MSQ99N26 Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low RDS (on) and to ensure SOIC-8 minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and battery-powered products such as computers, printers, PCM

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