MSQ99N26 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MSQ99N26  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm

Тип корпуса: SOIC-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MSQ99N26

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSQ99N26 даташит

 ..1. Size:849K  bruckewell
 msq99n26.pdf pdf_icon

MSQ99N26

Bruckewell Technology Corp., Ltd. MSQ99N26 Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low RDS (on) and to ensure SOIC-8 minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and battery-powered products such as computers, printers, PCM

Другие IGBT... MSQ27N30, MSQ2N60, MSQ4N60, MSQ5N50, MSQ6N30, MSQ6N40, MSQ7434N, MSQ94P33, IRF1407, MSS34N40, MSS5P05D, MSS5P05U, MSU11N50Q, MSU12N60F, MSU12N60T, MSU18N40, MSU1N60T