Справочник MOSFET. MSQ99N26

 

MSQ99N26 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MSQ99N26
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: SOIC-8
 

 Аналог (замена) для MSQ99N26

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSQ99N26 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:849K  bruckewell
 msq99n26.pdf pdf_icon

MSQ99N26

Bruckewell Technology Corp., Ltd. MSQ99N26 Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low RDS (on) and to ensure SOIC-8minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and battery-powered products such as computers, printers, PCM

Другие MOSFET... MSQ27N30 , MSQ2N60 , MSQ4N60 , MSQ5N50 , MSQ6N30 , MSQ6N40 , MSQ7434N , MSQ94P33 , P0903BDG , MSS34N40 , MSS5P05D , MSS5P05U , MSU11N50Q , MSU12N60F , MSU12N60T , MSU18N40 , MSU1N60T .

History: MSQ7434N | MSK9N50T

 

 
Back to Top

 


 
.