MSS5P05D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MSS5P05D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 71 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 123 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de MSS5P05D MOSFET
MSS5P05D Datasheet (PDF)
mss5p05d mss5p05u.pdf

50V/5.3A P-Channel Power MOSFET MSS5P05D / MSS5P05U 50V/5.3A P-Channel Power MOSFET General Description Low on resistance Improved inductive ruggedness DPAK Fast switching time (TO-252) Rugged polysilicon gate cell structure Lower input capacitance Extended safe operating area Improved high temperature reliabillty IPAK Features (TO-251
Otros transistores... MSQ4N60 , MSQ5N50 , MSQ6N30 , MSQ6N40 , MSQ7434N , MSQ94P33 , MSQ99N26 , MSS34N40 , STP80NF70 , MSS5P05U , MSU11N50Q , MSU12N60F , MSU12N60T , MSU18N40 , MSU1N60T , MSU1N60F , MSU1N60D .
History: RDD022N60 | MSQ6N40



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
c6090 | ksa1015yta | 2n4240 | 2n5210 transistor | toshiba 2sc2290 | pk6d0ba mosfet | 2sd726 | c536 transistor equivalent