MSS5P05D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MSS5P05D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 71 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 123 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de MSS5P05D MOSFET
MSS5P05D Datasheet (PDF)
mss5p05d mss5p05u.pdf

50V/5.3A P-Channel Power MOSFET MSS5P05D / MSS5P05U 50V/5.3A P-Channel Power MOSFET General Description Low on resistance Improved inductive ruggedness DPAK Fast switching time (TO-252) Rugged polysilicon gate cell structure Lower input capacitance Extended safe operating area Improved high temperature reliabillty IPAK Features (TO-251
Otros transistores... MSQ4N60 , MSQ5N50 , MSQ6N30 , MSQ6N40 , MSQ7434N , MSQ94P33 , MSQ99N26 , MSS34N40 , STP80NF70 , MSS5P05U , MSU11N50Q , MSU12N60F , MSU12N60T , MSU18N40 , MSU1N60T , MSU1N60F , MSU1N60D .
History: CEG8208 | TK13A65U | SM140R50CT2TL | NTMFD4C20N | NVMFD5C478N | AOE6932 | RHU003N03
History: CEG8208 | TK13A65U | SM140R50CT2TL | NTMFD4C20N | NVMFD5C478N | AOE6932 | RHU003N03



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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