MSS5P05D Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MSS5P05D  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 50 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 71 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 123 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm

Encapsulados: TO-252

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MSS5P05D datasheet

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MSS5P05D

50V/5.3A P-Channel Power MOSFET MSS5P05D / MSS5P05U 50V/5.3A P-Channel Power MOSFET General Description Low on resistance Improved inductive ruggedness DPAK Fast switching time (TO-252) Rugged polysilicon gate cell structure Lower input capacitance Extended safe operating area Improved high temperature reliabillty IPAK Features (TO-251

Otros transistores... MSQ4N60, MSQ5N50, MSQ6N30, MSQ6N40, MSQ7434N, MSQ94P33, MSQ99N26, MSS34N40, 10N65, MSS5P05U, MSU11N50Q, MSU12N60F, MSU12N60T, MSU18N40, MSU1N60T, MSU1N60F, MSU1N60D