Справочник MOSFET. MSS5P05D

 

MSS5P05D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MSS5P05D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 71 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 123 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для MSS5P05D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSS5P05D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:687K  taitron
 mss5p05d mss5p05u.pdf pdf_icon

MSS5P05D

50V/5.3A P-Channel Power MOSFET MSS5P05D / MSS5P05U 50V/5.3A P-Channel Power MOSFET General Description Low on resistance Improved inductive ruggedness DPAK Fast switching time (TO-252) Rugged polysilicon gate cell structure Lower input capacitance Extended safe operating area Improved high temperature reliabillty IPAK Features (TO-251

Другие MOSFET... MSQ4N60 , MSQ5N50 , MSQ6N30 , MSQ6N40 , MSQ7434N , MSQ94P33 , MSQ99N26 , MSS34N40 , STP80NF70 , MSS5P05U , MSU11N50Q , MSU12N60F , MSU12N60T , MSU18N40 , MSU1N60T , MSU1N60F , MSU1N60D .

History: MSQ7434N | MSK9N50T

 

 
Back to Top

 


 
.