MSS5P05D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MSS5P05D  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 50 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 71 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 123 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm

Тип корпуса: TO-252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MSS5P05D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSS5P05D даташит

 ..1. Size:687K  taitron
 mss5p05d mss5p05u.pdf pdf_icon

MSS5P05D

50V/5.3A P-Channel Power MOSFET MSS5P05D / MSS5P05U 50V/5.3A P-Channel Power MOSFET General Description Low on resistance Improved inductive ruggedness DPAK Fast switching time (TO-252) Rugged polysilicon gate cell structure Lower input capacitance Extended safe operating area Improved high temperature reliabillty IPAK Features (TO-251

Другие IGBT... MSQ4N60, MSQ5N50, MSQ6N30, MSQ6N40, MSQ7434N, MSQ94P33, MSQ99N26, MSS34N40, 10N65, MSS5P05U, MSU11N50Q, MSU12N60F, MSU12N60T, MSU18N40, MSU1N60T, MSU1N60F, MSU1N60D