MSU1N60T Todos los transistores

 

MSU1N60T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MSU1N60T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 11.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

 Búsqueda de reemplazo de MSU1N60T MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

MSU1N60T Datasheet (PDF)

 7.1. Size:809K  taitron
 msu1n60.pdf pdf_icon

MSU1N60T

600V/1.2A POWER MOSFET (N-Channel) MSU1N60 600V/1.2A Power MOSFET (N-Channel) General Description MSU1N60 is a N-Channel enhancement mode power MOSFET SOT-223 TO-92 with advanced technology. It is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, minimized on-state resistance and withstanding high energy pulse in the avalanche an

Otros transistores... MSQ99N26 , MSS34N40 , MSS5P05D , MSS5P05U , MSU11N50Q , MSU12N60F , MSU12N60T , MSU18N40 , 20N50 , MSU1N60F , MSU1N60D , MSU1N60U , MSU2N60T , MSU2N60F , MSU2N60D , MSU2N60U , MSU2N60S .

 

 
Back to Top

 


 
.