Справочник MOSFET. MSU1N60T

 

MSU1N60T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MSU1N60T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 11.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для MSU1N60T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSU1N60T Datasheet (PDF)

 7.1. Size:809K  taitron
 msu1n60.pdf pdf_icon

MSU1N60T

600V/1.2A POWER MOSFET (N-Channel) MSU1N60 600V/1.2A Power MOSFET (N-Channel) General Description MSU1N60 is a N-Channel enhancement mode power MOSFET SOT-223 TO-92 with advanced technology. It is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, minimized on-state resistance and withstanding high energy pulse in the avalanche an

Другие MOSFET... MSQ99N26 , MSS34N40 , MSS5P05D , MSS5P05U , MSU11N50Q , MSU12N60F , MSU12N60T , MSU18N40 , 2N60 , MSU1N60F , MSU1N60D , MSU1N60U , MSU2N60T , MSU2N60F , MSU2N60D , MSU2N60U , MSU2N60S .

History: NVTFS6H854N | XN0NE92 | PSMN017-30EL | OSS60R099PF | LNG7N60D | STB11NM80T4 | NCEP85T15

 

 
Back to Top

 


 
.