MSU1N60T datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MSU1N60T  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 11.5 Ohm

Тип корпуса: TO-220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MSU1N60T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSU1N60T даташит

 7.1. Size:809K  taitron
 msu1n60.pdf pdf_icon

MSU1N60T

600V/1.2A POWER MOSFET (N-Channel) MSU1N60 600V/1.2A Power MOSFET (N-Channel) General Description MSU1N60 is a N-Channel enhancement mode power MOSFET SOT-223 TO-92 with advanced technology. It is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, minimized on-state resistance and withstanding high energy pulse in the avalanche an

Другие IGBT... MSQ99N26, MSS34N40, MSS5P05D, MSS5P05U, MSU11N50Q, MSU12N60F, MSU12N60T, MSU18N40, 20N50, MSU1N60F, MSU1N60D, MSU1N60U, MSU2N60T, MSU2N60F, MSU2N60D, MSU2N60U, MSU2N60S