Справочник MOSFET. MSU1N60T

 

MSU1N60T MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MSU1N60T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 1.2 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Время нарастания (tr): 25 ns
   Выходная емкость (Cd): 20 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 11.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-220

 Аналог (замена) для MSU1N60T

 

 

MSU1N60T Datasheet (PDF)

 7.1. Size:809K  taitron
 msu1n60.pdf

MSU1N60T MSU1N60T

600V/1.2A POWER MOSFET (N-Channel) MSU1N60 600V/1.2A Power MOSFET (N-Channel) General Description MSU1N60 is a N-Channel enhancement mode power MOSFET SOT-223 TO-92 with advanced technology. It is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, minimized on-state resistance and withstanding high energy pulse in the avalanche an

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top