IRFS642 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFS642

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.22 Ohm

Encapsulados: TO220F

 Búsqueda de reemplazo de IRFS642 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

IRFS642 datasheet

 8.1. Size:309K  1
irfs644 irfs645.pdf pdf_icon

IRFS642

 8.2. Size:301K  1
irfs640 irfs641.pdf pdf_icon

IRFS642

 8.3. Size:276K  1
irfs644.pdf pdf_icon

IRFS642

 8.4. Size:916K  fairchild semi
irf640b irfs640b.pdf pdf_icon

IRFS642

Otros transistores... IRFS630, IRFS630A, IRFS632, IRFS634, IRFS634A, IRFS635, IRFS640, IRFS640A, AO4407, IRFS644, IRFS644A, IRFS645, IRFS650A, IRFS654A, IRFS710A, IRFS720, IRFS720A