IRFS642 Todos los transistores

 

IRFS642 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFS642
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.22 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

 Búsqueda de reemplazo de IRFS642 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IRFS642 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:309K  1
 irfs644 irfs645.pdf pdf_icon

IRFS642

 8.2. Size:301K  1
 irfs640 irfs641.pdf pdf_icon

IRFS642

 8.3. Size:276K  1
 irfs644.pdf pdf_icon

IRFS642

 8.4. Size:916K  fairchild semi
 irf640b irfs640b.pdf pdf_icon

IRFS642

November 2001IRF640B/IRFS640B200V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 18A, 200V, RDS(on) = 0.18 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 45 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 45 pF)This advanced technology has been especially tailored to

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... IRFS630 , IRFS630A , IRFS632 , IRFS634 , IRFS634A , IRFS635 , IRFS640 , IRFS640A , AO4407 , IRFS644 , IRFS644A , IRFS645 , IRFS650A , IRFS654A , IRFS710A , IRFS720 , IRFS720A .

History: IRFPC50APBF | STB36NM60ND | FQD30N06TF | APT5010LVR | BLP023N10-BA | BLP04N10-P | FQPF5N80

 

 
Back to Top

 


 
.