IRFS642 Todos los transistores

 

IRFS642 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFS642
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.22 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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IRFS642 Datasheet (PDF)

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IRFS642

November 2001IRF640B/IRFS640B200V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 18A, 200V, RDS(on) = 0.18 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 45 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 45 pF)This advanced technology has been especially tailored to

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History: PD632BA | SSM6K203FE | CSD25213W10 | PZD502CMA

 

 
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