IRFS642. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFS642

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.22 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для IRFS642

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFS642 даташит

 8.1. Size:309K  1
 irfs644 irfs645.pdf pdf_icon

IRFS642

 8.2. Size:301K  1
 irfs640 irfs641.pdf pdf_icon

IRFS642

 8.3. Size:276K  1
 irfs644.pdf pdf_icon

IRFS642

 8.4. Size:916K  fairchild semi
 irf640b irfs640b.pdf pdf_icon

IRFS642

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFS630, IRFS630A, IRFS632, IRFS634, IRFS634A, IRFS635, IRFS640, IRFS640A, AO4407, IRFS644, IRFS644A, IRFS645, IRFS650A, IRFS654A, IRFS710A, IRFS720, IRFS720A