Справочник MOSFET. IRFS642

 

IRFS642 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFS642
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.22 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для IRFS642

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFS642 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:309K  1
 irfs644 irfs645.pdf pdf_icon

IRFS642

 8.2. Size:301K  1
 irfs640 irfs641.pdf pdf_icon

IRFS642

 8.3. Size:276K  1
 irfs644.pdf pdf_icon

IRFS642

 8.4. Size:916K  fairchild semi
 irf640b irfs640b.pdf pdf_icon

IRFS642

November 2001IRF640B/IRFS640B200V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 18A, 200V, RDS(on) = 0.18 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 45 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 45 pF)This advanced technology has been especially tailored to

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFS630 , IRFS630A , IRFS632 , IRFS634 , IRFS634A , IRFS635 , IRFS640 , IRFS640A , P60NF06 , IRFS644 , IRFS644A , IRFS645 , IRFS650A , IRFS654A , IRFS710A , IRFS720 , IRFS720A .

History: 2SK2551 | BUK7107-55ATE | SM2558NSUC | SSM3K104TU | FDFC2P100 | BSS192 | VSD013N10MS

 

 
Back to Top

 


 
.