MSU1N60D Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MSU1N60D  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 11.5 Ohm

Encapsulados: TO-252

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MSU1N60D datasheet

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MSU1N60D

600V/1.2A POWER MOSFET (N-Channel) MSU1N60 600V/1.2A Power MOSFET (N-Channel) General Description MSU1N60 is a N-Channel enhancement mode power MOSFET SOT-223 TO-92 with advanced technology. It is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, minimized on-state resistance and withstanding high energy pulse in the avalanche an

Otros transistores... MSS5P05D, MSS5P05U, MSU11N50Q, MSU12N60F, MSU12N60T, MSU18N40, MSU1N60T, MSU1N60F, IRF2807, MSU1N60U, MSU2N60T, MSU2N60F, MSU2N60D, MSU2N60U, MSU2N60S, MSU2N70, MSU4D5N50Q