Справочник MOSFET. MSU1N60D

 

MSU1N60D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MSU1N60D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 11.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для MSU1N60D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSU1N60D Datasheet (PDF)

 7.1. Size:809K  taitron
 msu1n60.pdf pdf_icon

MSU1N60D

600V/1.2A POWER MOSFET (N-Channel) MSU1N60 600V/1.2A Power MOSFET (N-Channel) General Description MSU1N60 is a N-Channel enhancement mode power MOSFET SOT-223 TO-92 with advanced technology. It is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, minimized on-state resistance and withstanding high energy pulse in the avalanche an

Другие MOSFET... MSS5P05D , MSS5P05U , MSU11N50Q , MSU12N60F , MSU12N60T , MSU18N40 , MSU1N60T , MSU1N60F , IRFB31N20D , MSU1N60U , MSU2N60T , MSU2N60F , MSU2N60D , MSU2N60U , MSU2N60S , MSU2N70 , MSU4D5N50Q .

 

 
Back to Top

 


 
.