MSU4D5N50Q Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MSU4D5N50Q  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 73 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm

Encapsulados: TO-262

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MSU4D5N50Q datasheet

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MSU4D5N50Q

500V/4.5A MOSFET (N-Channel) MSU4D5N50Q 500V/4.5A MOSFET (N-Channel) General Description The N-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFET is designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, switching converters, solenoid, motor drivers, relay drivers. TO-262 Features RDS(ON) 1.5 @VGS=10V Single Pul

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