Справочник MOSFET. MSU4D5N50Q

 

MSU4D5N50Q Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MSU4D5N50Q
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 73 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 22 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-262
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSU4D5N50Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:661K  taitron
 msu4d5n50q.pdf pdf_icon

MSU4D5N50Q

500V/4.5A MOSFET (N-Channel) MSU4D5N50Q 500V/4.5A MOSFET (N-Channel) General Description The N-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFET is designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, switching converters, solenoid, motor drivers, relay drivers. TO-262 Features RDS(ON) 1.5@VGS=10V Single Pul

Другие MOSFET... MSU1N60D , MSU1N60U , MSU2N60T , MSU2N60F , MSU2N60D , MSU2N60U , MSU2N60S , MSU2N70 , IRF730 , MSU4N40 , MSU4N60 , MSU4N60S , MSU4N65 , MSU5N50 , MSU5N60T , MSU5N60F , MSU5N60D .

 

 
Back to Top

 


 
.