Справочник MOSFET. MSU4D5N50Q

 

MSU4D5N50Q Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MSU4D5N50Q
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 73 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-262
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MSU4D5N50Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:661K  taitron
 msu4d5n50q.pdf pdf_icon

MSU4D5N50Q

500V/4.5A MOSFET (N-Channel) MSU4D5N50Q 500V/4.5A MOSFET (N-Channel) General Description The N-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFET is designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, switching converters, solenoid, motor drivers, relay drivers. TO-262 Features RDS(ON) 1.5@VGS=10V Single Pul

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: HGA100N12S | SIHG47N60S | PN4119A | HGI110N08AL | MTP9575J3 | DH8004 | 9N95

 

 
Back to Top

 


 
.