MSU4D5N50Q Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: MSU4D5N50Q
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 73 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 22 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
Тип корпуса: TO-262
MSU4D5N50Q Datasheet (PDF)
msu4d5n50q.pdf

500V/4.5A MOSFET (N-Channel) MSU4D5N50Q 500V/4.5A MOSFET (N-Channel) General Description The N-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFET is designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, switching converters, solenoid, motor drivers, relay drivers. TO-262 Features RDS(ON) 1.5@VGS=10V Single Pul
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , AON7506 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH1001PTL | JMSH1001NTLQ | JMSH1001NTL | JMSH1001NS | JMSH1001NE7 | JMSH1001NE | JMSH1001NC | JMSH1001MTL | JMSH1001BTL | JMSH1001ATLQ | JMSH1001ATL | JMSH1001AE7Q | JMSH1001AE7 | JMPK7N65BJ | JMPK630BJ | JMPK5N50BJ
Popular searches
2sc1885 datasheet | 2sc2580 | 2sc710 | 2sc968 | 2sd217 | bdw93c equivalent | cs7n60f | d613 transistor