MSU4D5N50Q datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MSU4D5N50Q  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 73 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: TO-262

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MSU4D5N50Q

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSU4D5N50Q даташит

 ..1. Size:661K  taitron
 msu4d5n50q.pdf pdf_icon

MSU4D5N50Q

500V/4.5A MOSFET (N-Channel) MSU4D5N50Q 500V/4.5A MOSFET (N-Channel) General Description The N-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFET is designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, switching converters, solenoid, motor drivers, relay drivers. TO-262 Features RDS(ON) 1.5 @VGS=10V Single Pul

Другие IGBT... MSU1N60D, MSU1N60U, MSU2N60T, MSU2N60F, MSU2N60D, MSU2N60U, MSU2N60S, MSU2N70, IRFB31N20D, MSU4N40, MSU4N60, MSU4N60S, MSU4N65, MSU5N50, MSU5N60T, MSU5N60F, MSU5N60D