MSU5N60T Todos los transistores

 

MSU5N60T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MSU5N60T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 42 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
     - Selección de transistores por parámetros

 

MSU5N60T Datasheet (PDF)

 7.1. Size:475K  taitron
 msu5n60.pdf pdf_icon

MSU5N60T

600V/4.5A POWER MOSFET (N-Channel) MSU5N60 600V/4.5A Power MOSFET (N-Channel) General Description MSU5N60 is a N-Channel enhancement mode power MOSFET with advanced TO-220 technology. It is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, minimized on-state resistance and withstanding high energy pulse in the avalanche and commutati

 9.1. Size:595K  bruckewell
 msu5n50.pdf pdf_icon

MSU5N60T

MSU5N50 500V N-Channel MOSFET Description The MSU5N50 is a N-channel enhancement-mode MOSFET , providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-251 package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features Originative New Design Rugged Gate Oxide

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History: IRLI3803PBF | NCE80H12 | IMZ120R350M1H

 

 
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