Справочник MOSFET. MSU5N60T

 

MSU5N60T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MSU5N60T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для MSU5N60T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSU5N60T Datasheet (PDF)

 7.1. Size:475K  taitron
 msu5n60.pdf pdf_icon

MSU5N60T

600V/4.5A POWER MOSFET (N-Channel) MSU5N60 600V/4.5A Power MOSFET (N-Channel) General Description MSU5N60 is a N-Channel enhancement mode power MOSFET with advanced TO-220 technology. It is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, minimized on-state resistance and withstanding high energy pulse in the avalanche and commutati

 9.1. Size:595K  bruckewell
 msu5n50.pdf pdf_icon

MSU5N60T

MSU5N50 500V N-Channel MOSFET Description The MSU5N50 is a N-channel enhancement-mode MOSFET , providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TO-251 package is universally preferred for all commercial-industrial applications Features Originative New Design Rugged Gate Oxide

Другие MOSFET... MSU2N60S , MSU2N70 , MSU4D5N50Q , MSU4N40 , MSU4N60 , MSU4N60S , MSU4N65 , MSU5N50 , IRF1405 , MSU5N60F , MSU5N60D , MSU7N60F , MSU7N60T , MSU8N50Q , MSU9N90P , MSW10N80 , MSW11N90 .

History: 2N70ZL | IRFR3806 | CJ2302 | 2N60D | WMT04P10TS | NVATS5A106PLZ | SIHB8N50D

 

 
Back to Top

 


 
.