MSU7N60T Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MSU7N60T  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 142 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 170 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm

Encapsulados: TO-220

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MSU7N60T datasheet

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MSU7N60T

600V/7.4A POWER MOSFET (N-Channel) MSU7N60 600V/7.4A Power MOSFET (N-Channel) General Description MSU7N60 is a N-Channel enhancement mode power MOSFET with advanced TO-220 technology. It is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, minimized on-state resistance and withstanding high energy pulse in the avalanche and commutati

Otros transistores... MSU4N60, MSU4N60S, MSU4N65, MSU5N50, MSU5N60T, MSU5N60F, MSU5N60D, MSU7N60F, AON7403, MSU8N50Q, MSU9N90P, MSW10N80, MSW11N90, MSW16N50, MSW20N50, MSW20N60, MSW9N90