Справочник MOSFET. MSU7N60T

 

MSU7N60T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MSU7N60T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 142 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 170 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для MSU7N60T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSU7N60T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:443K  taitron
 msu7n60f msu7n60t.pdf pdf_icon

MSU7N60T

600V/7.4A POWER MOSFET (N-Channel) MSU7N60 600V/7.4A Power MOSFET (N-Channel) General Description MSU7N60 is a N-Channel enhancement mode power MOSFET with advanced TO-220 technology. It is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, minimized on-state resistance and withstanding high energy pulse in the avalanche and commutati

Другие MOSFET... MSU4N60 , MSU4N60S , MSU4N65 , MSU5N50 , MSU5N60T , MSU5N60F , MSU5N60D , MSU7N60F , EMB04N03H , MSU8N50Q , MSU9N90P , MSW10N80 , MSW11N90 , MSW16N50 , MSW20N50 , MSW20N60 , MSW9N90 .

History: IRF7807TRPBF-1 | TK8P25DA | 2N7016 | MSU4D5N50Q | AUIRF1404L

 

 
Back to Top

 


 
.