MSU7N60T datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MSU7N60T  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 142 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 170 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm

Тип корпуса: TO-220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MSU7N60T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSU7N60T даташит

 ..1. Size:443K  taitron
 msu7n60f msu7n60t.pdf pdf_icon

MSU7N60T

600V/7.4A POWER MOSFET (N-Channel) MSU7N60 600V/7.4A Power MOSFET (N-Channel) General Description MSU7N60 is a N-Channel enhancement mode power MOSFET with advanced TO-220 technology. It is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, minimized on-state resistance and withstanding high energy pulse in the avalanche and commutati

Другие IGBT... MSU4N60, MSU4N60S, MSU4N65, MSU5N50, MSU5N60T, MSU5N60F, MSU5N60D, MSU7N60F, AON7403, MSU8N50Q, MSU9N90P, MSW10N80, MSW11N90, MSW16N50, MSW20N50, MSW20N60, MSW9N90