MSU8N50Q MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MSU8N50Q
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 134 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-262
Búsqueda de reemplazo de MSU8N50Q MOSFET
MSU8N50Q Datasheet (PDF)
msu8n50q.pdf

500V/8A POWER MOSFET (N-Channel) MSU8N50Q 500V/8A Power MOSFET (N-Channel) General Description MSU8N50Q is a N-Channel enhancement mode power MOSFET with advanced technology. It is designed to have Better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, minimized on-state resistance and withstanding high TO-262 energy pulse in the avalanche and commutati
Otros transistores... MSU4N60S , MSU4N65 , MSU5N50 , MSU5N60T , MSU5N60F , MSU5N60D , MSU7N60F , MSU7N60T , IRF9640 , MSU9N90P , MSW10N80 , MSW11N90 , MSW16N50 , MSW20N50 , MSW20N60 , MSW9N90 , MTA090N02KC3 .
History: SIRA14BDP | JFPC18N50C
History: SIRA14BDP | JFPC18N50C



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
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