Справочник MOSFET. MSU8N50Q

 

MSU8N50Q Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MSU8N50Q
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 134 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
   Тип корпуса: TO-262
 

 Аналог (замена) для MSU8N50Q

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSU8N50Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:756K  taitron
 msu8n50q.pdf pdf_icon

MSU8N50Q

500V/8A POWER MOSFET (N-Channel) MSU8N50Q 500V/8A Power MOSFET (N-Channel) General Description MSU8N50Q is a N-Channel enhancement mode power MOSFET with advanced technology. It is designed to have Better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, minimized on-state resistance and withstanding high TO-262 energy pulse in the avalanche and commutati

Другие MOSFET... MSU4N60S , MSU4N65 , MSU5N50 , MSU5N60T , MSU5N60F , MSU5N60D , MSU7N60F , MSU7N60T , IRF9640 , MSU9N90P , MSW10N80 , MSW11N90 , MSW16N50 , MSW20N50 , MSW20N60 , MSW9N90 , MTA090N02KC3 .

History: BLV7N60 | H06N60U | BRU24N50

 

 
Back to Top

 


 
.