MSU8N50Q datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MSU8N50Q  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 134 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm

Тип корпуса: TO-262

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MSU8N50Q

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSU8N50Q даташит

 ..1. Size:756K  taitron
 msu8n50q.pdf pdf_icon

MSU8N50Q

500V/8A POWER MOSFET (N-Channel) MSU8N50Q 500V/8A Power MOSFET (N-Channel) General Description MSU8N50Q is a N-Channel enhancement mode power MOSFET with advanced technology. It is designed to have Better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, minimized on-state resistance and withstanding high TO-262 energy pulse in the avalanche and commutati

Другие IGBT... MSU4N60S, MSU4N65, MSU5N50, MSU5N60T, MSU5N60F, MSU5N60D, MSU7N60F, MSU7N60T, K2611, MSU9N90P, MSW10N80, MSW11N90, MSW16N50, MSW20N50, MSW20N60, MSW9N90, MTA090N02KC3