MSU9N90P Todos los transistores

 

MSU9N90P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MSU9N90P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 120 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 175 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3P
 

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MSU9N90P Datasheet (PDF)

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MSU9N90P

900V/9A Power MOSFET (N-Channel) MSU9N90P 900V/9A Power MOSFET (N-Channel) General Description MSU9N90P is a N-Channel enhancement mode power MOSFET with advanced technology. It is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, minimized on-state resistance. This device is well suited for use as a load switch or in PWM applications.

Otros transistores... MSU4N65 , MSU5N50 , MSU5N60T , MSU5N60F , MSU5N60D , MSU7N60F , MSU7N60T , MSU8N50Q , 2SK3918 , MSW10N80 , MSW11N90 , MSW16N50 , MSW20N50 , MSW20N60 , MSW9N90 , MTA090N02KC3 , MTA340N02KC3 .

History: 4N80 | IRFPS38N60L

 

 
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