MSU9N90P Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MSU9N90P  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 900 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 120 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 175 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm

Encapsulados: TO-3P

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MSU9N90P datasheet

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MSU9N90P

900V/9A Power MOSFET (N-Channel) MSU9N90P 900V/9A Power MOSFET (N-Channel) General Description MSU9N90P is a N-Channel enhancement mode power MOSFET with advanced technology. It is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, minimized on-state resistance. This device is well suited for use as a load switch or in PWM applications.

Otros transistores... MSU4N65, MSU5N50, MSU5N60T, MSU5N60F, MSU5N60D, MSU7N60F, MSU7N60T, MSU8N50Q, EMB04N03H, MSW10N80, MSW11N90, MSW16N50, MSW20N50, MSW20N60, MSW9N90, MTA090N02KC3, MTA340N02KC3