MSU9N90P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MSU9N90P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 120 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 175 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3P

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MSU9N90P

MSU9N90P Datasheet (PDF)

..1. Size:369K taitron
msu9n90p.pdf

900V/9A Power MOSFET (N-Channel) MSU9N90P 900V/9A Power MOSFET (N-Channel) General Description MSU9N90P is a N-Channel enhancement mode power MOSFET with advanced technology. It is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, minimized on-state resistance. This device is well suited for use as a load switch or in PWM applications.

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: IPU80R1K4CE

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: