MSU9N90P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MSU9N90P  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: TO-3P

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MSU9N90P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSU9N90P даташит

 ..1. Size:369K  taitron
 msu9n90p.pdf pdf_icon

MSU9N90P

900V/9A Power MOSFET (N-Channel) MSU9N90P 900V/9A Power MOSFET (N-Channel) General Description MSU9N90P is a N-Channel enhancement mode power MOSFET with advanced technology. It is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, minimized on-state resistance. This device is well suited for use as a load switch or in PWM applications.

Другие IGBT... MSU4N65, MSU5N50, MSU5N60T, MSU5N60F, MSU5N60D, MSU7N60F, MSU7N60T, MSU8N50Q, EMB04N03H, MSW10N80, MSW11N90, MSW16N50, MSW20N50, MSW20N60, MSW9N90, MTA090N02KC3, MTA340N02KC3