Справочник MOSFET. MSU9N90P

 

MSU9N90P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MSU9N90P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-3P
 

 Аналог (замена) для MSU9N90P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSU9N90P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:369K  taitron
 msu9n90p.pdf pdf_icon

MSU9N90P

900V/9A Power MOSFET (N-Channel) MSU9N90P 900V/9A Power MOSFET (N-Channel) General Description MSU9N90P is a N-Channel enhancement mode power MOSFET with advanced technology. It is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, minimized on-state resistance. This device is well suited for use as a load switch or in PWM applications.

Другие MOSFET... MSU4N65 , MSU5N50 , MSU5N60T , MSU5N60F , MSU5N60D , MSU7N60F , MSU7N60T , MSU8N50Q , 2SK3918 , MSW10N80 , MSW11N90 , MSW16N50 , MSW20N50 , MSW20N60 , MSW9N90 , MTA090N02KC3 , MTA340N02KC3 .

History: IRF7749L1TRPBF | IRF9530P | SI2301ADS-T1

 

 
Back to Top

 


 
.