Справочник MOSFET. MSU9N90P

 

MSU9N90P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MSU9N90P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 120 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-3P
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MSU9N90P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:369K  taitron
 msu9n90p.pdf pdf_icon

MSU9N90P

900V/9A Power MOSFET (N-Channel) MSU9N90P 900V/9A Power MOSFET (N-Channel) General Description MSU9N90P is a N-Channel enhancement mode power MOSFET with advanced technology. It is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, minimized on-state resistance. This device is well suited for use as a load switch or in PWM applications.

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: AUIRFB4332 | SM2211PSQG | IAUC100N10S5N040 | STU601S | 2SK2123 | SMC3407S | PK8B0BA

 

 
Back to Top

 


 
.