MSW20N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MSW20N50
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 215 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 500 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 20 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
Carga de la puerta (Qg): 90 nC
Tiempo de subida (tr): 210 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 490 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.26 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-247
Búsqueda de reemplazo de MOSFET MSW20N50
MSW20N50 Datasheet (PDF)
msw20n50.pdf
MSW20N50 500V N-Channel MOSFET Description This latest technology has been especially designed to minimize on-state resistance, have a high rugged avalanche characteristics. These devices are well suited for high efficiency switch mode power supplies. Features RDS(on) (Typical 0.26 )@VGS=10V Gate Charge (Typical 90nC) Improved dv/dt Capability, High Ruggedness
msw20n60.pdf
Preliminary MSW20N60 500V N-Channel MOSFET Description This latest technology has been especially designed to minimize on-state resistance, have a high rugged avalanche characteristics. These devices are well suited for high efficiency switch mode power supplies. Features RDS(on) (Typical 0.26 )@VGS=10V Gate Charge (Typical 80nC) Improved dv/dt Capability, High
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