MSW20N50 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MSW20N50
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 215 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 90 nC
Время нарастания (tr): 210 ns
Выходная емкость (Cd): 490 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.26 Ohm
Тип корпуса: TO-247
MSW20N50 Datasheet (PDF)
msw20n50.pdf
MSW20N50 500V N-Channel MOSFET Description This latest technology has been especially designed to minimize on-state resistance, have a high rugged avalanche characteristics. These devices are well suited for high efficiency switch mode power supplies. Features RDS(on) (Typical 0.26 )@VGS=10V Gate Charge (Typical 90nC) Improved dv/dt Capability, High Ruggedness
msw20n60.pdf
Preliminary MSW20N60 500V N-Channel MOSFET Description This latest technology has been especially designed to minimize on-state resistance, have a high rugged avalanche characteristics. These devices are well suited for high efficiency switch mode power supplies. Features RDS(on) (Typical 0.26 )@VGS=10V Gate Charge (Typical 80nC) Improved dv/dt Capability, High
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
