Справочник MOSFET. MSW20N50

 

MSW20N50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MSW20N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 215 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 210 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 490 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.26 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для MSW20N50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSW20N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:823K  bruckewell
 msw20n50.pdf pdf_icon

MSW20N50

MSW20N50 500V N-Channel MOSFET Description This latest technology has been especially designed to minimize on-state resistance, have a high rugged avalanche characteristics. These devices are well suited for high efficiency switch mode power supplies. Features RDS(on) (Typical 0.26 )@VGS=10V Gate Charge (Typical 90nC) Improved dv/dt Capability, High Ruggedness

 8.1. Size:453K  bruckewell
 msw20n60.pdf pdf_icon

MSW20N50

Preliminary MSW20N60 500V N-Channel MOSFET Description This latest technology has been especially designed to minimize on-state resistance, have a high rugged avalanche characteristics. These devices are well suited for high efficiency switch mode power supplies. Features RDS(on) (Typical 0.26 )@VGS=10V Gate Charge (Typical 80nC) Improved dv/dt Capability, High

Другие MOSFET... MSU5N60D , MSU7N60F , MSU7N60T , MSU8N50Q , MSU9N90P , MSW10N80 , MSW11N90 , MSW16N50 , AO3407 , MSW20N60 , MSW9N90 , MTA090N02KC3 , MTA340N02KC3 , MTA55N20J3 , MTB070P15J3 , MTB080N15J3 , MTB09P03E3 .

History: WST8205 | IRFS3006 | SFG100N08KF | KHB011N40F1 | MTP10N25 | R6004ENJ

 

 
Back to Top

 


 
.